Transistor mosfet canal P 100V 12A de suicheo rápido.
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 12A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V máximo
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
- Disipación de potencia: 3.7W máximo
- Encapsulado: D2Pack
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 12A |
| Voltaje Vds | 100V |
| Encapsulado semiconductores | D2PACK |