Transistor JFET de canal N. Con alta resistencia de entrada, se usa comúnmente en aplicaciones generales como la amplificación de señales de audio de baja potencia, así como en la amplificación de señales de RF, e instrumentación.
Características:
- Máximo voltaje Vds: 25V
- Máxima corriente de drenado Id: 20mA
- Dispación de potencia: 350mW
- Polaridad: Canal- N
- Número de pines: 3
- Encapsulado TO-92
- Montaje through hole
- Temperatura de trabajo máximo: 150°C
| Máxima corriente | 20mA |
| Máximo voltaje Vds | 25V |
| Potencia | 350mW |
| Encapsulado semiconductores | TO-92 |