Transistor NPN. Fabricado en metal, está diseñado para aplicaciones de conmutación y también para proyectos de amplificación de media potencia.

Características:

• Voltaje colector-emisor (VCE): 40V
• Voltaje colector-base (VCB): 75V
• Voltaje emisor-base (VEB): 6V
• Corriente máxima de Colector: 800mA DC
• Ganancia de corriente DC: 100 @ Ic=150mA, Vce=10V
• Máxima disipación de potencia: 0.5W
• Velocidad de transición: 300MHz
• Número de pines: 3
• Encapsulado: TO-18