Transistor MOSFET de canal N, 60V, 240mA, en encapsulado plástico de montaje superficial SOT-23.
Características:
- Voltaje drain-source: Max 60V
- Voltaje Gate-Source: Max ± 20V
- Corriente continua en Drain: Max 240 mA
- Potencia total: Max 0.35 W
- Temperatura de almacenamiento y operación: -55°C a 150°C.
- Encapsulado: SOT-23.
| Corriente ID | 240mA |
| Voltaje Vds | 60V |
| Potencia | 0.35W |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23 |
2N7002E-Datasheet.pdf
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