Transistor FET de canal N de montaje tipo through hole. VDS:30V
Características:
- Voltaje Drain-Source máximo: 30V
- Corriente Drain máxima: 0.02A
- Resistencia Drain-Source On-State máxima: 125 Ohm
- Máxima potencia de disipación: 0.2W
- Tipo de canal de control: canal-N
- Temperatura de operación máxima: 150°C
- Encapsulado: TO-92
- Montaje through hole
| Corriente ID | 0.02A |
| Voltaje Vds | 30V |
| Potencia | 0.2W |
| Encapsulado semiconductores | TO-92 |