Transistor mosfet canal N de montaje superficial, 30V, 42A. Puede ser utilizado en gran variedad de aplicaciones con sistemas de inversión de potencia.
Características:
- Continuous Drain Current, ID 42A @ 25C
- Drain-to-Source Voltage, VDSS: 30V máximo
- Power dissipation: 30W
- Encapsulado: TO-252-2L
| Corriente ID | 42A |
| Voltaje Vds | 30V |
| Potencia | 30W |
| Encapsulado semiconductores | TO-252-2L |