Mosfet canal N de montaje superficial.
Características:
- Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds: 30 V
- Corriente de drenaje continua Id: 13A
- Resistencia entre drenaje y fuente Rds On: 0.011 Ohms
- Tensión umbral entre puerta y fuente Vgs th: 1V
- Disipación de potencia Dp: 2.5W
- Polaridad: N
- Encapsulado: SOIC-8
- Montaje superficial SMD
| Corriente ID | 13A |
| Voltaje Vds | 30V |
| Potencia | 2.5W |
| Encapsulado semiconductores | SOIC-8 |