Transistor mosfet de potencia canal N 500V, 8A, de suicheo rápido. ORIGINAL 
Características:
- Continuous Drain Current : 8A
 - Drain-to-Source Breakdown Voltage: 500V
 - Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 150°C
 - Encapsulado: TO220
 
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 8A | 
| Voltaje Vds | 500V | 
| Encapsulado semiconductores | TO-220 | 
IRF840-Datasheet.pdf
                                            
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