Transistor NPN. Fabricado en metal, está diseñado para aplicaciones de conmutación y también para proyectos de amplificación de media potencia.
Características:
- Voltaje colector-emisor (VCE): 40V
- Voltaje colector-base (VCB): 75V
- Voltaje emisor-base (VEB): 6V
- Corriente máxima de Colector: 800mA DC
- Ganancia de corriente DC: 100 @ Ic=150mA, Vce=10V
- Máxima disipación de potencia: 0.5W
- Velocidad de transición: 300MHz
- Número de pines: 3
- Encapsulado: TO-18
| Voltaje colector-emisor | 40V |
| Corriente de colector | 800mA |
| Potencia | 0.5W |
| Encapsulado semiconductores | TO-18 |
2N2222A-TO18-Transistor-NPN-Datasheet.pdf
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