Transistor Mosfet de canal N. Está diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido, on-state, (RDS(ON)) y, aun así, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia. De montaje superficial. 

Características:

• Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
• Corriente-consumo continuo (Id) a 25°C: 2.8A 
• Voltaje Gate Threshold (Vgs th): 1V
• Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:  120 mΩ
• Vgs - Tensión entre puerta y fuente:  - 12 V, + 12 V
• Disipación de potencia: 660 mW
• Polaridad: N
• Encapsulado: SOT-23-3
• Montaje superficial SMD