Mosfet de doble canal N de montaje superficial. VDS:20V. De rápida velocidad de suicheo.
Características:
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
- Corriente-consumo continuo (Id) a 25°C: 2.7A (Ta)
- Rds On (máx) @ Id, Vgs: 80mOhm a 2.7A, 4.5V
- Vgs(th) (máx) @ Id: 1.5V a 250µA
- Vgs (máx.): ±8V
- Disipación de potencia (Máx.): 700mW (Ta)
- Polaridad: N
- Encapsulado: SOT-23-6
- Configuración: 2 canales N
- Montaje superficial SMD
| Corriente ID | 2.7A |
| Voltaje Vds | 20V |
| Potencia | 700mW |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23-6 |
FDC6305N-D-Datasheet.PDF
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