Transistor NPN de proposito general. SMD.
Características:
- Voltaje de ruptura Colector-Emisor: 40V
- Voltaje de saturación Vce: 0.3V @ Ib=5mA, Ic=50mA
- Corriente máxima de Colector: 200mA
- Máxima disipación de potencia: 350mW
- Encapsulado: SOT-23
- Montaje superficial
| Voltaje colector-emisor | 40V |
| Corriente de colector | 200mA |
| Potencia | 350mW |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23 |
2N3904-Datasheet.PDF
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