Transistor PNP. Encapsulado TO-3P. Usado en aplicaciones de amplificación de alta potencia. B817 E 4A3
Características:
- Voltaje colector emisor: -140V máximo
- Voltaje colector base: -160V máximo
- Corriente de colector: -12A máximo
- Disipación total: 120W
- Temperatura de operación: hasta 150°C
- Encapsulado: TO-3P
Es complementario con el transistor NPN 2SD1047
| Voltaje colector-emisor | 140V |
| Corriente de colector | 12A |
| Potencia | 120W |
| Encapsulado semiconductores | TO-3P |
2SB817-Datasheet.pdf
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