Transistor mosfet de canal N. Utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas ya sea en circuitos analógicos o digitales. De lata velocidad de conmutación y baja resistencia.

Características:

• Voltaje Drain-Source máximo VDS: 900V
• Corriente Drain máxima ID: 9A
• Resistencia Rds (on): 1.1Ohm
• Máxima potencia de disipación: 150W @ 25°C
• Tipo de canal de control: canal-N
• Temperatura de operación máxima: 150°C
• Número de pines: 3
• Encapsulado: TO-3PM
• Montaje through hole