Transistor NPN Darlington BDX33C 100V 10A

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Transistor NPN Darlington BDX33C 100V 10A

[BDX33C] Transistor NPN Darlington BDX33C 100V 10A

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  • Encapsulado semiconductores

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Transistor NPN Darlington 100V 10A. Su complemento es el PNP BDX34C. Encapsulado TO220.

Características:

  • Voltaje colector emisor: 100V máximo
  • Corriente de colector: 10A máximo
  • Temperatura de operación: máximo 150°C
  • Temperatura de almacenamiento: - 65°C ~ 150°C
  • Encapsulado: TO-220

[La imagen sólo se usa como referencia]

 


Voltaje colector-emisor 100V
Corriente de colector 10A
Encapsulado semiconductores TO-220
BDX33C-Datasheet.pdf
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