Transistor bipolar de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Ideal para tareas de uso intensivo de energía, de aplicación versátil: adecuado para inversores y soldadores fotovoltaicos.

Características:

• Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 650V
• Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.85V
• Máximo voltaje puerta-emisor VGE: ± 20V
• Corriente de colector IC: 100A – TC=25°. 60A – TC=100°
• Potencia de disipación: 420W – TC = 25°C. 214 – TC = 100°C
• Número de pines: 3
• Montaje through hole
• Encapsulado: TO-247AB-3
• Temperatura de trabajo: Max.+175° y Min. -40°