Mosfet canal N de montaje superficial. Es de bajo voltaje de funcionamiento lo que lo hace útil para productos portátiles y que funcionan con baterías.
Características:
- Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds: 50V
- Corriente – consumo continuo Id: 220mA
- Resistencia entre drenaje y fuente Rds On: 3Ohm a 500mA, 10V
- Tensión entre puerta y fuente Vgs: - 20 V, + 20 V
- Tensión umbral entre puerta y fuente Vgs th máx.:
- Disipación de potencia Dp: 350mW
- Polaridad: N
- Encapsulado: SOT-23-3
- Montaje superficial SMD
| Corriente ID | 220mA |
| Voltaje Vds | 50V |
| Potencia | 350mW |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23-3 |