Transistor MOSFET, 60V, Canal N, 2.3A.
Características:
- Continuous Drain Current @ 25°C: 2.3A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 60V máximo
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 150°C
- Disipación de potencia: 700mW máximo
- Encapsulado: SOT23
Nota: La imagen se usa solo como referencia.
| Corriente ID | 2.3A |
| Voltaje Vds | 60V |
| Potencia | 700mW |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23 |