Transistor mosfet canal P. Esta avanzada tecnología MOSFET está diseñada especialmente para reducir la resistencia en estado encendido y proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta intensidad de energía. Adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificadores de audio, control de motores de CC y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
Características:
- Voltaje Drain-to-Source (VDSS): 60V
- Corriente de drenado (Drain Current. ID): 5.4A
- Máxima disiapción de potencia: 2500mW máxima
- Tipo de canal: P
- Número de pines: 3
- Encapsulado: DPAK (TO-252)
- Montaje superficial. SMD
| Corriente ID | 5.4A |
| Voltaje Vds | 60V |
| Encapsulado semiconductores | DPAK (TO-252) |
FQD7P06-Datasheet.pdf
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