Transistor mosfet de suicheo rápido, extremadamente eficiente y confiable, puede ser utilizado en gran variedad de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.
Características:
- Drain Current (ID): 84A
- Drain-to-Source Breakdown Voltage (VDSS): 60V
- Drain-to-Gate Voltage (VDGR): 60V
- Gate-to-Source Voltage (VGS): ±20V
- Potencia máxima disipada (PD): 200W
- Canal N
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 84A |
| Voltaje Vds | 60V |
| Potencia | 200W |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF1010E-Datasheet.pdf
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