Transistor mosfet canal N 40V, 202A de suicheo rápido, extremadamente eficiente y confiable, puede ser utilizado en gran variedad de aplicaciones. GENÉRICO.
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 202A
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 40V
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 175°C
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 202A |
| Voltaje Vds | 40V |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF1404-Datasheet.pdf
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