Transistor mosfet canal N 55V 110A de suicheo rápido, extremadamente eficiente y confiable, puede ser utilizado en gran variedad de aplicaciones. GENERICO
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 110A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 55V máximo
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
- Encapsulado: TO220AB
International Rectifier Part Number: IRF3205PBF
| Corriente ID | 110A |
| Voltaje Vds | 55V |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF3205PBF-Datasheet.pdf
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