Transistor mosfet canal N de montaje superficial, 100V, 57A de suicheo rápido, extremadamente eficiente y confiable, puede ser utilizado en gran variedad de aplicaciones.
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 57A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V máximo
- Power dissipation: 200W
- Encapsulado: DPAK
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 57A |
| Voltaje Vds | 100V |
| Potencia | 200W |
| Encapsulado semiconductores | DPAK |
IRF3710-Datasheet.pdf
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