Transistor mosfet canal N 100V 5.6A IRF510 GENERICO

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Transistor mosfet canal N 100V 5.6A IRF510 GENERICO

[IRF510-GEN] Transistor mosfet canal N 100V 5.6A IRF510 GENERICO

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Transistor mosfet canal N 100V 5.6A de suicheo rápido. GENERICO.

Características:

  • Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 5.6A máximo
  • Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V máximo
  • Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
  • Encapsulado: TO220AB

[La imagen sólo se usa como referencia]

Corriente ID 5.6A
Voltaje Vds 100V
Encapsulado semiconductores TO-220AB
IRF510-Datasheet.pdf
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