Transistor mosfet canal N 100V 5.6A de suicheo rápido. GENERICO.
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 5.6A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V máximo
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 5.6A |
| Voltaje Vds | 100V |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |