Transistor mosfet canal-N 200V IRF630. GENERICO

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Transistor mosfet canal-N 200V IRF630. GENERICO

[IRF630-GEN] Transistor mosfet canal-N 200V IRF630. GENERICO

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Transistor mosfet de polaridad N, empaque TO-220. GENERICO

Características:

  • Polaridad del transistor:N
  • Voltaje máximo Vds: 200V
  • Máxima corriente Id: 9A
  • Resistencia Rds: 400mΩ (0.4Ω)
  • Máximo voltaje Vgs: 3V
  • Potencia de disipación: 100W
  • Número de pines: 3
  • Empaque: TO-220
  • Montaje tipo through hole
Corriente ID 9A
Voltaje Vds 200V
Potencia 100W
Encapsulado semiconductores TO-220
IRF630-Datasheet.pdf
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