Transistor mosfet canal N 400V 5.5A IRF730

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Transistor mosfet canal N 400V 5.5A IRF730

[IRF730] Transistor mosfet canal N 400V 5.5A IRF730

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  • Encapsulado semiconductores

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Transistor mosfet canal N 400V 5.5A, entre sus principales aplicaciones están:

  • Suicheo de corrientes altas
  • UPS
  • Conversores DC/DC para telecomunicaciones, iluminación e industrial

Características:


  • Continuous Drain Current a Tc =25°C: 5.5A máximo
  • Drain-to-Source Breakdown Voltage: 400V máximo
  • Temperatura de operación: hasta 150°C
  • Temperatura de almacenamiento: - 65°C ~ 150°C
  • Encapsulado: TO220

[La imagen sólo se usa como referencia]

Corriente ID 5.5A
Voltaje Vds 400V
Encapsulado semiconductores TO-220
IRF730-Datasheet.pdf
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