Transistor Darlington NPN con bajo voltaje de saturación Colector-Emisor (2V). Posee un diodo antiparalelo integrado entre Colector-Emisor.
Características:
- Voltaje de ruptura Colector-Emisor: 100V
- Voltaje de saturación Colector-Emisor: 2V @ Ib=16mA, Ic=4A
- Corriente máxima de Colector: 5A
- Máxima disipación de potencia: 20W
- Encapsulado: DPak
Palabras claves:transistor NPN darlington, transistores
| Voltaje colector-emisor | 100V |
| Corriente de colector | 5A |
| Potencia | 20W |
| Encapsulado semiconductores | DPAK |