Transistor BJT (empalme bipolar) NPN. De propósito general, empleado principalmente en amplificación de audio.
Características:
- Voltaje colector base: 40V
- Voltaje colector emisor: 25V
- Corriente de colector: 1.5A
- Ganancia (hFE): 40-300
- Disipación de potencia máxima: 1W
- Número de pien:3
- Encapsulado: TO-92
- Montaje through hole
- Temperatura de operación: - 55°C ~ 150°C
- Complementario al SS8550
| Voltaje colector-emisor | 25V |
| Corriente de colector | 1.5A |
| Potencia | 1W |
| Encapsulado semiconductores | TO-92 |
SS8050-Datasheet.pdf
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