Transistor BJT NPN S8050 40V 100mA

Precio:

3.399,83


Sistema de desarrollo SandBox de SparkFun
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139.706,00
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Tarjeta de desarrollo WiFi, Bluetooth ESP32 Lite V1.0.0
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17.800,02
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Transistor BJT NPN S8050 40V 100mA

[S8050] Transistor BJT NPN S8050 40V 100mA

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  • Voltaje colector-emisor
  • Corriente de colector
  • Potencia
  • Encapsulado semiconductores

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Transistor BJT (empalme bipolar) NPN. De propósito general, empleado principalmente en amplificación de audio.

Características:

  • Voltaje colector base: 40V
  • Voltaje colector emisor: 25V
  • Corriente de colector: 1.5A
  • Ganancia (hFE): 40-300
  • Disipación de potencia máxima: 1W
  • Número de pien:3
  • Encapsulado: TO-92
  • Montaje through hole
  • Temperatura de operación: - 55°C ~ 150°C
  • Complementario al SS8550

[La imagen sólo se usa como referencia]


Voltaje colector-emisor 25V
Corriente de colector 1.5A
Potencia 1W
Encapsulado semiconductores TO-92
SS8050-Datasheet.pdf
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