Transistor PNP de tipo unión bipolar (BJT). Se utiliza comúnmente en circuitos electrónicos para amplificación y conmutación de señales. 

Características:

• Voltaje Base-Colector: 40 V
• Voltaje Colector-Emisor: 25 V
• Voltaje Emisor-Base: 5V
• Voltaje de saturación Colector-Emisor: 0.6 V @ Ib=50mA, Ic=500mA
• Corriente máxima de Colector: 500mA
• Ganancia de corriente DC: min: 120 V, máx: 400 V @ Ic=50mA, Vce=1V
• Máxima disipación de potencia: 625mW
• Velocidad de transición: 150MHz
• Encapsulado: TO-92
• Montaje through hole