Mosfet canal N de montaje superficial. Utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia con una rápida velocidad de conmutación. Esto hace que sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia y bajo voltaje.
Características:
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
- Corriente-consumo continuo (Id) a 25°C: 2.9A (Ta)
- Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 2.5V, 4.5V
- Rds On (máx) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 3.1A, 4.5V
- Vgs(th) (máx) a Id: 700mV @ 250µA
- Vgs (máx.): ±20V
- Disipación de potencia (Máx.): 1W (Ta)
- Polaridad: N
- Encapsulado: SOT-23-3
- Montaje superficial SMD
Nota: La imagen se usa solo como referencia.
| Corriente ID | 2.9A |
| Voltaje Vds | 30V |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23-3 |
ZXMN3B14-Datasheet.pdf
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